通过认证
“电池锂电保护IC芯片”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 类型： | 耗尽型MOS管(P沟道) |
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 | 封装外形： | CHIP/小型片状 |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | 导电方式： | 耗尽型 |
| 型号： | HM5431A | 规格： | SOT-25 |
| 产量： | 5000000 |
“电池锂电保护IC芯片”详细介绍
电池保护IC芯片
|
型号 |
工作电压 |
工作电流 |
过充电压 |
过充释放电压 |
过放电压 |
过放释放电压 |
过放自恢复 |
过流保护 |
短路保护 |
封装 |
替代型号 |
|
|
DW01A |
1.5V-9.0V |
2.4uA |
4.3V |
4.1V |
2.4V |
3.0V |
YES |
YES |
YES |
SOT23-6L |
DW01+ CS213 R5426 DW01A R5421 SC451 |
DW01+ |
|
DW01+ |
1.5V-9.0V |
2.4uA |
4.3V |
4.1V |
2.4V |
3.0V |
ON |
YES |
YES |
SOT23-6L |
DW01+ CS213 R5426 DW01A R5421 SC451 |
DW01A |
