沈阳仪表科研院三项目通过科技成果鉴定

发布日期：2014-12-12 浏览次数：129

　　据悉，近日由沈阳市科技局成果处主持，在沈阳仪表科学院召开了三项科研项目的科技成果鉴定会议。对科技部十一五支撑计划项目“传感器测试关键共性技术研究”、科技部科研院所技术开发研究专项资金项目“光密度连续变化滤光器件”、“SOI压力传感器制造工艺研究”进行了科技成果鉴定。专家组认真审阅了资料，听取了项目组的详细汇报，考察了研制现场及实物，经过质询和评议一致认为：
　　
　　“传感器测试关键共性技术研究”项目突破了高性能传感器“试验装置高效高压多波形控制”、“批量检测系统弱信号检测”、“可靠性强化试验”等关键技术，在硅电容传感器批量测试系统的“夹具设计”和“补偿方法”、传感器高效高压试验装置的“复合波形控制”等方面具有创新性。成果主要性能指标和关键技术达到国际先进水平，对推动行业技术进步，增强产品市场竞争力，具有重要的支撑作用。
　　
　　“光密度连续变化滤光器件”项目开展了中性渐变薄膜的设计与制造工艺研究，研制出线性度和中性度良好的光密度连续变化滤光器件，线性度、中性度均达到±5％。解决了光密度线性渐变薄膜设计、中性薄膜镀制、掩膜机构设计及掩膜机构运动控制等关键技术难题，在线性迭代拟合调速和分段调速等方面具有创新性。研制开发的滤光器件，填补了国内空白，并已实现批量生产，主要性能指标达到国际先进水平。
　　
　　“SOI压力传感器制造工艺研究”项目开展了SOI压力传感器制造工艺的研究，建起具有自主技术和知识产权支撑的高温SOI压力传感器制造技术平台，实现耐高温SOI压力传感器批产工艺的稳定性。采用表面掺杂浓度控制方法解决了低漂移技术难题，使敏感器件的稳定性达到0.005％F。S。／8h；采用多层薄膜低应力匹配技术，实现敏感芯片重复稳定生产；采用Cr–Ni–Au复合耐高温电极制备技术，实现了敏感芯片在300℃下稳定工作。项目成果填补了国内空白，主要性能指标达到国际先进水平。鉴定委员会一致同意三个项目通过成果鉴定。
　　
　　专家组对沈阳仪表科学研究院项目组织实施管理给予了较高评价，对项目完成的质量给予了充分地肯定，并建议在现有基础上不断地发挥自身优势，进一步推广应用并扩展应用领域。